哈工大宣布突破euv技术_dpp euv光源哈工大

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哈工大宣布突破euv技术

哈工大宣布了一个重磅消息，他们成功突破了EUV光刻机技术，这可让美国和ASML坐不住啦。要知道，生产5nm及以下芯片得用高功率的13.5nm极紫外光源，而相关的激光器组件和控制光源的FPGA芯片一直被ASML垄断着，咱国内之前还没攻克呢。不过哈工大赵永蓬团队厉害呀，他们另辟蹊径，利用电能产生等离子体，绕开了高功率激光，也能产生13.5nm极紫外光源，这可给国产高端光刻机的突破立了大功，团队还得了一等奖呢。美国知道这消息，估计得气炸了。这几十年，美国联合好多发达国家对咱搞“小院高墙”战略，不光是高科技封锁打压，咱和其他国家合作研发技术时，美国还会来搞破坏，真是太坏了。但现在呀，美国的封锁好像不太管用了，咱国家突破了好多高科技呢，像北斗定位系统、空间站、火箭发动机、隐身战斗机、操作系统、客机、核动力潜艇、高端机床和医疗设备等等，太多啦，数都数不过来。美国有的咱能自己生产，美国没做到的，咱也做到了，就像最近试飞的第六代隐身战斗机。有人可能会说光刻机还不行，可麒麟9020芯片都有了呀，这说明咱还是有办法生产芯片的，只是还没有EUV光刻机量产罢了。现在哈工大突破了EUV相关核心技术，离实际应用应该不远了。这对ASML来说，肯定愁得睡不着觉，对华为来说，那肯定高兴坏了。等咱国家大规模量产EUV光刻机，台积电可能就得重新考虑立场了，毕竟形势要变啦。 #冬季旅游去哪里# #财经# #哈工大#慈喀SEO百科客服QQ:853616368(具体细节可以问他)

【重磅！哈工大已攻克EUV光刻机技术】近日，半导体领域来了一则激动人心的消息：哈尔滨工业大学（简称哈工大）宣布成功研发出中心波长达到13.5纳米的极紫外（EUV）光技术，这一历史性的成就为中国光刻机技术的发展注入了强劲动力，为深陷困境的中国芯片制造业带来了突破性的曙光。慈喀SEO百科客服微信:seo5951(有不明白的咨询他)

中国哈尔滨工业大学宣布在EUV光源上取得技术突破后，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室宣布开发出大孔径铥激光器，旨在为极紫外光刻技术的下一步发展奠定基础并取代现有EUV技术。大孔径铥激光器采用铥掺杂的氟化钇锂作为激光增益介质，理论上能高效输出拍瓦级、超短激光脉冲，平均功率达数百千瓦，远超目前同类激光器水平。其工作波长为2微米，与目前EUV设备中使用的10微米波长的二氧化碳激光器相比，在硬件上有先天优势，可提高锡球与激光相互作用时等离子体到EUV光的转换效率。该系统采用二极管泵浦固态技术，能提供更好的整体电气效率和热管理，可大幅降低产品的电量损耗并提升工作效率。哈工大采用的是放电等离子体极紫外光刻光源技术，即DPP技术，直接利用电能生成等离子体，产生13.5nm极紫外光，省去了激光生成环节，降低了能源消耗，实现了更高效率的能量转换，减少了对高精度激光器和进口FPGA芯片的依赖，降低了生产成本，自主性更强。对全球光刻技术竞争格局的影响：美国试图通过研发新技术保持在光刻技术领域的领先地位，而中国的技术突破则增强了在全球光刻技术竞争中的实力，未来全球光刻技术竞争格局可能更加多元化。#我要上热门#慈喀SEO百科客服QQ:853616368(具体细节可以问他)

美国和ASML已经释怀，不再关心哈工大突破的13.5nm极紫外光源。哈工大教授因突破13.5nm极紫外光源而获得一等奖，消息一出，美国和ASML晚上都睡不着觉了，因为极紫外光源是西方对我国技术封锁的最后一道防线。EUV光刻机上面的各种核心零部件，由各个发达国家拼尽全力研发出来，美国本以为各尽其能才能造出来的东西，中国一己之力无法造出来，现在哈工大搞定13.5nm极紫外光源，就是给大漂亮一个响亮的耳光。华为把麒麟芯片实现国产化后，美国就不再关心这芯片是谁生产的，而是关心华为怎么把非3nm芯片的性能做到和真正3nm芯片的性能一样。所以和麒麟芯片一样，既然哈工大已经宣布重大突破，那么老美就不再关心哈工大是通过何种方式突破的，也不担心我国什么时候把EUV给造出来，因为这是迟早的事，大漂亮现在担心的是我国把EUV造出来之后，会不会把光刻机价格打成“白菜价”，结果就是连高端芯片都变成“白菜价”。西方国家很清楚，封锁的技术一旦被中国突破，结局就是白菜价，如果连EUV和高端芯片的价格都被打下来了，那么西方国家上百年来采用收割发展中国家来维持自家高福利社会的方式彻底完蛋。你也可以加慈喀SEO百科站长微信:seo5951咨询详情。

哈工大突破13.5nm极紫外光源，美国和ASML又该睡不着了！在刚刚过去的去年底，哈工大教授因突破13.5nm极紫外光源而获得一等奖，消息一出美国和ASML晚上又该睡不着觉了，因为极紫外光源是西方对我国技术封锁的最后一道防线。目前，EUV光刻机上面的各种核心零部件，由各个发达国家拼尽全力才研发出来，美国本以为这是最高科技，中国凭一己之力根本无法研制出来，但是现在哈工大的13.5nm极紫外光源，无疑是给了大漂亮一记响亮的耳光。自从华为把麒麟芯片实现国产化后，美国就不再关心这芯片到底是怎么研发出来的，而是关心华为怎么把非3nm芯片的性能做到和真正3nm芯片的性能一样。和麒麟芯片一样，既然哈工大已经宣布重大突破，那么老美就不再关心哈工大是通过何种方式突破的，也不再关心我们什么时候把EUV给造出来，因为这是迟早的事。美国现在担心的是，我国把EUV造出来之后，会不会把光刻机价格打成“白菜价”，结果就是连高端芯片都变成“白菜价”。西方国家很清楚，封锁的技术一旦被中国突破，结局就是白菜价，如果连EUV和高端芯片的价格都被打下来了，那么西方国家上百年来，采用技术收割发展中国家来维持自家高福利的方式，就会被宣告彻底完蛋。慈喀SEO百科客服QQ:853616368(具体细节可以问他)

最近，一台机器的照片在网上悄悄传开，照片上有几个汉字，看起来像是EUV物镜装调干涉仪。说起来，这台机器是用来精密装配EUV光刻机物镜的，原理是通过干涉法来搞定的，类似于经典的双缝实验。现在物镜装配问题搞定了，光源和双工台也解决了，基本上核心技术都突破了，剩下的就是等系统集成出来结果了。这台仪器的主要作用是把各个反射镜的位置调整得极为精准，确保整个波像差最小，这样才能实现超高分辨率，刻出最小的图案，算是一个大突破了。还有传闻说，国产EUV光刻机计划从4月开始在存储芯片上调试，按计划如果顺利的话，8月、9月就能开始大规模量产。物镜好像是科美提供的，光源则是长光的，虽然成本高，但稳定性很强。哈工大的方案是备用，主要解决5纳米芯片的成品率问题。其实，最关键的一点是，如果在2035年之前能看到小规模商用，那就比预期要好得多。如果ASML继续跟着美国的步伐走，等到东大成功研发出EUV技术，那对荷兰来说简直就是一场灾难。到时候，东大凭借自己的工业能力，可以迅速把EUV技术做到非常便宜，接着在国内大规模推广。那时，高端芯片的瓶颈问题也不再是东大的最后难题了。想了解更多请加慈喀SEO百科小编QQ:853616368

哈工大立功了！欧洲光刻巨头突然宣布，外媒：大势已定！哈尔滨工业大学在EUV光源技术领域实现了重要进展。樊继壮教授的团队成功研发出了13.5纳米极紫外光源，这对我国自主研制EUV光刻机提供了强有力的技术支持。更令人兴奋的是，哈工大研发的EUV光源在转换率、体积、造价等方面都具有显著优势，这预示着中国在EUV光刻机领域有望实现弯道超车。除了高端芯片的突破，中国在成熟工艺领域也取得了显著进展。我国成功批量生产了65nm的氟化氩光刻机，这加强了中国在成熟芯片领域的地位。从高端到低端，中国“芯”正在构建一个完整的产业生态，为未来的发展积蓄力量。随着中国芯片产业的快速进步，ASML这个曾经的行业领头羊开始尝到不小的挑战。ASML在中国市场的表现非常抢眼，其在中国市场的收入几乎占到了全球收入的一半。然而，美西方的制裁让ASML左右为难，不得不采取一些“暗度陈仓”的策略，以维持其在中国市场的份额。想了解更多请加慈喀SEO百科小编QQ:853616368

原创《迏学》领时共迏21422期：哈工大13.5nm极紫外光源照得欧美“芯惊胆颤”！ ——技术破局、地缘博弈与全球半导体产业链重构一、哈工大13.5nm极紫外光源：光刻机“心脏”的自主突围 1. 技术突破的核心价值哈尔滨工业大学赵永蓬教授团队研发的13.5nm极紫外（EUV）光源，采用放电等离子体技术（DPP），通过高压电场电离气体生成等离子体并释放极紫外光，成功绕过了ASML依赖的激光等离子体（LPP）技术路线。这一创新不仅填补了国内空白，更打破了美欧长期垄断的EUV光源技术壁垒，被誉为“光刻机心脏的自主突围”。相较于ASML光源需依赖德国激光器与美国Cymer公司技术协同的复杂供应链，哈工大的方案简化了技术流程，具备成本低、体积小、能量转换效率高等优势。 2. 从实验室到产业化的挑战尽管技术突破意义重大，但距离实际应用仍面临多重挑战： - 光源功率差距：哈工大当前光源功率仅43瓦，远低于ASML的250-500瓦，需进一步提升稳定性和能量密度以满足高精度芯片量产需求。 - 配套技术短板：EUV光刻机需高精度物镜系统、双工作台及光学对准技术等协同配合，目前国内在反射镜平滑度（需纳米级误差控制）和精密制造领域仍存差距。 - 专利与生态壁垒：ASML通过全球40国供应链构建了技术护城河，国产EUV光刻机需突破数万零部件集成难题，并构建自主产业链生态。二、地缘博弈：欧美封锁与“技术反制”的失效 1. 美国的战略误判与反噬 2018年美国联合盟友对中芯国际实施EUV光刻机禁运，宣称“中国将落后10-15年”。然而，哈工大仅用7年便突破光源核心技术，直接冲击了美方技术封锁的逻辑基础。这一突破不仅暴露了美国低估中国科研潜力的战略误判，更揭示了其“脱钩断链”政策的反噬效应——倒逼中国加速技术自立。 2. ASML与台积电的“沉默焦虑” - ASML的困境：其CEO曾多次强调“EUV光刻机无法由单一国家完成”，但哈工大的技术路线创新打破了这一叙事。ASML一方面担忧中国自主研发成功将导致其失去全球最大市场，另一方面又试图游说美国政府放宽出口限制以延缓中国技术进程。 - 台积电的危机感：台积电3nm制程依赖ASML的EUV设备，若中国实现光刻机自主，中芯国际有望凭借本土化成本优势抢占成熟制程市场，并逐步向先进制程渗透，威胁台积电超80%的全球份额。三、产业链重构：从“卡脖子”到“自主可控”的路径 1. 国产替代的协同效应 - 华为与中芯国际的等待：华为已通过7nm芯片叠加设计优化实现“类5nm性能”，但突破3nm需EUV光刻机支持。哈工大光源技术为中芯国际等厂商提供了关键设备突破的可能性。 - 光刻胶等配套突破：华中科技大学等机构同步攻克了光刻胶技术，结合国产刻蚀机、薄膜沉积设备的进步，中国正形成“去美化”芯片制造闭环。 2. 成熟制程与先进制程的平衡尽管EUV技术备受关注，但国内半导体产业仍以28nm及以上成熟制程为战略重心。通过提升成熟制程良率、降低成本，可巩固市场份额并为先进制程研发提供资金与经验反哺。四、全球半导体权力格局的重塑 1. 技术多极化的必然趋势哈工大的突破标志着全球半导体技术从“单极霸权”（ASML-台积电-美国联盟）向多极化演变。中国凭借庞大市场与政策支持，正成为技术创新的重要一极，而欧洲（如德国蔡司镜头技术）、日本（光刻胶优势）也在寻求战略平衡。 2. 新兴力量的崛起逻辑中国半导体产业的韧性源于： - 高压环境下的适应性：美国制裁倒逼企业加速技术迭代，如华为海思设计能力、中芯国际成熟制程扩产。 - 产业链整合能力：从设备、材料到设计、封测的全链条协同，降低了单一环节受制于人的风险。结语：曙光与荆棘并存的中国“芯”征程哈工大的13.5nm极紫外光源是国产半导体技术的里程碑，但其背后折射的不仅是技术突破，更是一场关乎全球产业链话语权的博弈。短期看，中国需在光源功率提升、配套技术攻坚上持续投入；长期则需构建开放的创新生态，避免陷入“闭门造车”困境。若能将技术自立与全球合作结合，中国或将成为打破半导体霸权、推动产业公平化的关键力量。然而，若欧美继续以“零和思维”施压，全球半导体市场或将陷入“分裂对抗”的恶性循环，最终无人受益。业务合作直接找慈喀SEO百科技术QQ:853616368(微信同号)洽谈。

阿斯麦这回硬刚美国！光刻机巨头宣布在中国建大型维修中心，直接撕碎了老美五年来围堵中国芯片的封锁令。维护服务一断，设备全得趴窝，这招原本是想掐咱们脖子，结果阿斯麦自己先扛不住了——毕竟中国市场占其收入大头，不伺候金主难道等着破产？最近，全球唯一能造EUV光刻机的巨头——阿斯麦，放出了一句话：“我们可以暂时限制中国买光刻机，但如果中国自己造出来了，那芯片战争就彻底结束了。”这话听着是不是有点像“服软”？背后的意思太耐人寻味了！芯片江湖的“卡脖子”大战说到芯片制造，台积电是绝对的“巨无霸”，全球50%以上的芯片代工市场都被它掌控，苹果、高通、英伟达这些科技巨头全靠它吃饭。但别忘了，台积电为啥这么牛？关键就在于阿斯麦的EUV光刻机！没有EUV，就造不出最先进的芯片。这几年，老美各种制裁，让中国买不到EUV光刻机，目的很简单，就是想掐住咱们的高端芯片脖子。可问题是，技术封锁真能封死中国吗？显然，他们低估了咱们的决心和能力！中芯国际的“硬刚”突围在这场科技博弈中，中芯国际绝对是中国芯片的“硬核担当”。这些年，它顶着压力一路狂奔，在制造工艺上不断突破，从28nm到7nm，甚至传言5nm也已经在路上了！华为Mate 60 Pro的麒麟9000S芯片，据说就是中芯国际代工的！虽然比不了台积电的3nm，但咱们已经杀出一条血路。能做到7nm，就意味着中国芯片不再是任人拿捏的软柿子！阿斯麦为啥“松口”？为啥阿斯麦突然放话了？其实他们也明白，技术封锁是暂时的。中国一旦攻克光刻机，那封锁就等于白费功夫。这几年，中国科研力量全速前进，最近哈工大的极紫外光源项目斩获大奖，这意味着什么？意味着中国正在突破EUV光刻的关键瓶颈！如果光源解决了，光刻机的“最后一公里”也许并不遥远。中国芯片的底气在哪？咱们有全球最大的芯片消费市场，单是国内需求就能撑起一个完整的产业链！从芯片设计、制造到封装测试，各环节都在狂飙突进。加上政策扶持、企业自研，产业链的自主可控正在加速形成。阿斯麦说得没错，如果中国真的造出EUV光刻机，那全球芯片格局就会彻底洗牌！咱们有市场、有人才、有决心，更重要的是有敢拼敢干的精神。封锁终将失效！科技封锁从来不是万能的。回看历史，从芯片到航空发动机，再到高铁，中国一步步突破封锁，靠的就是持续创新和不服输的精神。这一次，芯片战场，中国不再是旁观者，而是正在改变游戏规则的主角。用不了多久，全球芯片产业的天平，或许真的要倾斜了！中国芯片崛起，全球格局改写！中国芯片崛起，封锁终将失效，全球科技格局正在被改写！各位老铁，你们觉得中国芯片未来会怎样？欢迎在评论区留言，一起聊聊！#我要上热门# #动态连更挑战#业务合作直接找慈喀SEO百科技术QQ:853616368(微信同号)洽谈。

哈尔滨工业大学宣布了一项震撼消息，成功研制出13.5纳米波长的极紫外光刻光源，这一消息让中国在高端光刻机技术领域迈出了重要的一步！这项技术的突破，对芯片制造领域来说具有划时代的意义。极紫外光刻技术，是制造高性能处理器、内存等关键电子元件的核心技术。它利用13.5纳米波长的极紫外光进行曝光，能刻画出更小、更精细的电路图案，是实现先进制程芯片制造的关键。过去，这一技术几乎被荷兰ASML公司垄断，而ASML的技术主要依赖于其收购的美国公司Cymer。哈工大的这一技术突破，不仅在国内半导体领域引起了轰动，也在国际上引起了广泛关注。与ASML的激光等离子体方案不同，哈工大的技术以放电等离子体为基础，在能量转换效率、造价和体积等方面具有显著优势，被视为更低成本、更高效率的方案。这一突破，无疑是中国在高端制造领域的一次重大跨越。然而，光刻机的研发还涉及到其他复杂的技术环节，如超高精度的光学镜头、纳米级运动控制等。虽然哈工大的成果令人振奋，但距离完整国产EUV光刻机的问世，我们仍需耐心等待。你对哈工大这项技术的突破有什么看法？欢迎在评论区分享你的想法，让我们共同期待中国半导体产业的辉煌未来！想了解更多请加慈喀SEO百科小编QQ:853616368